กระบวนการสำหรับการสปัตเตอร์เป้าหมายมีอะไรบ้าง?

เป้าสปัตเตอร์ทังสเตน 80%
 

รูปร่างเป้าหมาย: แผ่น ดิสก์ สี่เหลี่ยมผืนผ้า สี่เหลี่ยมจัตุรัส แหวน แท่งกลม ดิสก์ขั้นบันได สี่เหลี่ยมผืนผ้าขั้นบันได สามเหลี่ยม เป้าหมายท่อ เป้าหมายซ้อน ฯลฯ หรือปรับแต่งตามความต้องการของลูกค้า และสามารถประมวลผลตามแบบที่ลูกค้าให้มาได้ นอกจากนี้ เรายังสามารถให้บริการเข้าเล่มสำหรับวัสดุเป้าหมายบางประเภทแก่ลูกค้าได้อีกด้วย

ขนาดอ้างอิง: เส้นผ่านศูนย์กลาง น้อยกว่าหรือเท่ากับ 355.6 มม. (14 นิ้ว) ความยาว น้อยกว่าหรือเท่ากับ 1,000 มม. ความกว้าง น้อยกว่าหรือเท่ากับ 200 มม. ความหนา น้อยกว่าหรือเท่ากับ 20 มม.

เป้าหมายการสปัตเตอร์ 80% W

กระบวนการสำหรับการสปัตเตอร์เป้าหมายมีอะไรบ้าง?

กระบวนการเป้าหมายการสปัตเตอร์ใช้หลักๆ ในสองด้าน ได้แก่ การกัดสปัตเตอร์และการสะสมฟิล์มบาง

เมื่อทำการเคลือบฟิล์มบางๆ แหล่งกำเนิดการสปัตเตอร์จะถูกวางไว้บนเป้าหมายและถูกโจมตีด้วยไอออนอาร์กอนเพื่อทำให้เกิดการสปัตเตอร์ หากวัสดุเป้าหมายเป็นสารเดี่ยว ฟิล์มบางๆ ของวัสดุเป้าหมายจะก่อตัวขึ้นบนพื้นผิว หากก๊าซที่ทำปฏิกิริยาถูกนำเข้าไปในห้องสปัตเตอร์โดยตั้งใจ ก๊าซดังกล่าวจะทำปฏิกิริยาทางเคมีกับอะตอมของเป้าหมายที่ถูกสปัตเตอร์และถูกเคลือบบนพื้นผิว ฟิล์มผสมของวัสดุเป้าหมายสามารถก่อตัวได้ โดยทั่วไป ฟิล์มผสมหรือโลหะผสมจะผลิตขึ้นโดยการสปัตเตอร์โดยตรงกับเป้าหมายผสมหรือโลหะผสม

เป้าสปัตเตอร์ทังสเตนไททาเนียม 80%

ระหว่างการกัดแบบสปัตเตอร์ วัสดุที่จะกัดจะถูกวางไว้ที่ตำแหน่งเป้าหมายและถูกโจมตีด้วยไอออนอาร์กอนเพื่อกัด อัตราการกัดนั้นสัมพันธ์กับปัจจัยต่างๆ เช่น ผลผลิตการสปัตเตอร์ของวัสดุเป้าหมาย ความหนาแน่นของกระแสไอออน และระดับสุญญากาศของห้องสปัตเตอร์ ระหว่างการกัดแบบสปัตเตอร์ ควรกำจัดอะตอมเป้าหมายที่สปัตเตอร์ออกจากห้องสปัตเตอร์ให้ได้มากที่สุด วิธีทั่วไปคือการใส่ก๊าซที่มีปฏิกิริยา ทำปฏิกิริยากับอะตอมเป้าหมายที่สปัตเตอร์เพื่อสร้างก๊าซระเหย จากนั้นจึงปล่อยก๊าซดังกล่าวออกจากห้องสปัตเตอร์ผ่านระบบสุญญากาศ