เป้าสปัตเตอร์ทังสเตนไททาเนียม 80%
ชิปเซมิคอนดักเตอร์ใช้เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะเพื่อให้สายโลหะสามารถส่งข้อมูลบนชิปได้ กระบวนการสปัตเตอร์เฉพาะคือ ขั้นแรกใช้กระแสไอออนความเร็วสูงโจมตีพื้นผิวของเป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะประเภทต่างๆ ภายใต้สุญญากาศสูง เพื่อให้อะตอมบนพื้นผิวเป้าหมายต่างๆ ถูกสะสมเป็นชั้นๆ บนพื้นผิวของชิปเซมิคอนดักเตอร์ จากนั้นอะตอมจะถูกสะสมเป็นชั้นๆ บนพื้นผิวของชิปเซมิคอนดักเตอร์ผ่านเทคโนโลยีการประมวลผลพิเศษ ฟิล์มโลหะที่สะสมบนพื้นผิวของชิปจะถูกแกะสลักลงในสายนาโนโลหะที่เชื่อมต่อทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กหลายร้อยล้านตัวภายในชิปเพื่อส่งสัญญาณ เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะที่ใช้ในอุตสาหกรรมนี้ส่วนใหญ่ประกอบด้วยเป้าหมายการสปัตเตอร์ที่มีความบริสุทธิ์สูง เช่น ทองแดง แทนทาลัม อลูมิเนียม ไททาเนียม โคบอลต์ และทังสเตน รวมถึงเป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสม เช่น นิกเกิล-แพลตตินัม ทังสเตน-ไททาเนียม เป็นต้น
80% WTi
ในปัจจุบัน การผลิตเวเฟอร์กำลังมุ่งสู่การทำให้มีขนาดเล็กลง และการประยุกต์ใช้เทคโนโลยีลวดทองแดงก็เพิ่มขึ้นเรื่อยๆ ดังนั้น คาดว่าความต้องการเป้าหมายทองแดงและแทนทาลัมจะยังคงเติบโตต่อไป เป้าหมายอลูมิเนียมและเป้าหมายไททาเนียมมักใช้ร่วมกัน ปัจจุบัน ในชิปอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์และสาขาอื่นๆ ที่ต้องการโหนดเทคโนโลยีที่สูงกว่า 110 นิวตันเมตรเพื่อให้แน่ใจว่ามีเสถียรภาพและป้องกันการรบกวน เป้าหมายอลูมิเนียมและไททาเนียมยังคงต้องใช้กันอย่างแพร่หลาย
ซัพพลายเออร์เป้าสปัตเตอร์ทังสเตน 80%
กระบวนการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) ที่ใช้ในการผลิตชิป VLSI แผงคริสตัลเหลว และเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง เป้าหมายที่ใช้ในการเตรียมวัสดุฟิล์มบางอิเล็กทรอนิกส์ ได้แก่ เป้าหมายอะลูมิเนียม เป้าหมายไททาเนียม เป้าหมายแทนทาลัม เป้าหมายทังสเตน-ไททาเนียม และเป้าหมายโลหะอื่นๆ
